GaN nədir və nə üçün lazımdır?

GaN nədir və nə üçün lazımdır?

Qallium nitridi və ya GaN, şarj cihazlarında yarımkeçiricilər üçün istifadə olunmağa başlayan bir materialdır. O, 90-cı illərdən başlayaraq LED-lərin istehsalı üçün istifadə edilmişdir və o, həm də peyklərdə günəş batareyası massivləri üçün məşhur materialdır. Şarj cihazlarına gəldikdə GaN ilə bağlı əsas şey daha az istilik istehsal etməsidir. Daha az istilik komponentlərin bir-birinə daha yaxın ola bilməsi deməkdir, beləliklə, bütün güc imkanlarını və təhlükəsizlik standartlarını qoruyaraq, şarj cihazı əvvəlkindən daha kiçik ola bilər.

Bir şarj cihazı həqiqətən nə edir?

Soruşmağınıza şadıq.

Şarj cihazının içindəki GaN-ə baxmadan əvvəl, şarj cihazının nə etdiyinə nəzər salaq. Smartfonlarımızın, planşetlərimizin və noutbuklarımızın hər birində batareya var. Batareya cihazlarımıza enerji ötürən zaman baş verənlər əslində kimyəvi reaksiyadır. Şarj cihazı bu kimyəvi reaksiyanı geri qaytarmaq üçün elektrik cərəyanı alır. İlk günlərdə şarj cihazları sadəcə olaraq batareyaya daim şirə göndərirdi ki, bu da həddindən artıq yüklənməyə və zədələnməyə səbəb ola bilərdi. Müasir şarj cihazlarına batareya doldurulduqca cərəyanı azaldan monitorinq sistemləri daxildir ki, bu da həddindən artıq yüklənmə ehtimalını minimuma endirir.

İstilik aktivdir:
GaN silikonu əvəz edir

80-ci illərdən bəri silikon tranzistorlar üçün əsas material olmuşdur. Silikon elektrik cərəyanını əvvəllər istifadə olunan materiallardan, məsələn, vakuum borularından daha yaxşı keçirir və istehsalı çox bahalı olmadığı üçün xərcləri aşağı saxlayır. Onilliklər ərzində texnologiyanın təkmilləşdirilməsi bu gün vərdiş etdiyimiz yüksək performansa gətirib çıxardı. İnkişaf yalnız bu günə qədər gedə bilər və silikon tranzistorlar əldə etdikləri qədər yaxşı ola bilər. İstilik və elektrik ötürülməsi baxımından silikon materialın xüsusiyyətləri, komponentlərin daha kiçik ola bilməyəcəyini bildirir.

GaN fərqlidir. Bu, daha yüksək gərginliklər keçirə bilən kristal kimi bir materialdır. Elektrik cərəyanı GaN-dən hazırlanmış komponentlərdən silikondan daha sürətli keçə bilər ki, bu da daha sürətli emala səbəb olur. GaN daha səmərəlidir, buna görə daha az istilik var.